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硅單晶電阻率標準片(以下簡稱標準樣片)是用高純多晶硅,經過單晶設備,再經中子嬗變摻雜等多種工藝制造的,具有一定幾何尺寸的實物標準.由不確定度已知的標準裝置,對該實物標準的電阻率及其他指標給予標定,使用時以標準樣片為準,對相關參數進行量值傳遞。
合格指標 樣片級別
項目
國家標準樣片
一級標準樣片
二級標準樣片
直 徑
（40 —75）±1% mm
（40 —75）±1% mm
（25 —100）±2% mm
厚 度
W≤1.0mm
W≤1.0mm
W≤1.0mm
標稱值偏差
0.01Ω.cm —500Ω.cm
±5%
±10%
±15%
中心點電阻率重復率（2σ）
0.3%
0.4%
0.8%
徑向電阻率不均勻度
≤3%
≤4%
≤8%
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合格指標 樣片級別
項 目 |
國家標準樣片 |
一級標準樣片 |
二級標準樣片 |
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年穩定度 |
（40 —75）±1% mm |
（40 —75）±1% mm |
（25 —100）±2% mm |
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擴展不確定度(包含因子 k=2) |
±1.0% |
±1.5% |
±2.5% |
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備注：電阻率大于500Ω.cm和電阻率為0.005Ω.cm的電阻率標準樣片標稱值偏差為±15%，中心電阻率重復性為0.8%（2σ）,擴展不確定度為2.0%,二級標準樣片，中心電阻率重復性為1.0%(2σ）,擴展不確定度為3.0% |
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