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少子壽命全稱叫非平衡少數載流子壽命，是半導體材料的一個基本參數，它的大小直接影響晶體管的性能。如：三極管的放大倍數β值，開關管的開關速度等。測定材料的少數載流子壽命方法有多種，這里介紹用光電導衰退法測量硅材料中少數載流子的壽命。
半導體材料在一定的外界條件下（如光注入或電注入）所產生的比熱平衡態時多出來的那部分電子空穴對稱為非平衡載流子。在外界條件取消后，這種非平衡載流子即通過復合而消失，使材料的載流子數重新恢復到平衡態的數值，非平衡載流子能存在的平均時間稱為壽命。少數載流子的壽命則表示非平衡少數載流子（如N型硅中注入的空穴）能存在的時間的平均值。
用脈沖光照射半導體材料時，便產生光激發的非平衡載流子。光照停止后，非平衡載流子便由于復合而逐漸消失，樣品的附加電導也相應衰退，在簡單情況下非平衡載流子的濃度不太大（小注入），非平衡載流子的數目在半導體內部因素作用下，按指數規律隨時間衰減，即：△P（或△n） e-vz。
時間常數t標志非平衡載流子的壽命值
