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半導體的電阻率較大（約10-5￡ρ￡107W×CM），而金屬的電阻率則很?。s10-8~10-6W×CM），絕緣體的電阻率則很大（約ρ3108W×m）。半導體的電阻率對溫度的反應(yīng)靈敏，例如鍺的溫度從200C升高到300C，電阻率就要降低一半左右。金屬的電阻率隨溫度的變化則較小，例如銅的溫度每升高1000C，ρ增加40%左右。電阻率受雜質(zhì)的影響顯著。金屬中含有少量雜質(zhì)時，看不出電阻率有多大的變化，但在半導體里摻入微量的雜質(zhì)時，卻可以引起電阻率很大的變化，例如在純硅中摻入百萬分之一的硼，硅的電阻率就從2.14′103W×CM減小到0.004W×CM左右。金屬的電阻率不受光照影響，但是半導體的電阻率在適當?shù)墓饩€照射下可以發(fā)生顯著的變化。目前太陽能行業(yè)，通過實踐中發(fā)現(xiàn)，當電阻率在1~3W×CM時，最終的產(chǎn)品是最高效的。
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