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半導(dǎo)體單晶硅材料的應(yīng)用越來越重要,對其的品質(zhì)要求越來越嚴(yán)格；然而在單晶生長過程中不可避免的存在缺陷與內(nèi)應(yīng)力，從而導(dǎo)致晶格發(fā)生畸變，降低晶格完整性，影響產(chǎn)品結(jié)晶質(zhì)量。
X射線衍射(XRD)技術(shù)已被廣泛用于研究單晶材料的結(jié)構(gòu)完整性以及微結(jié)構(gòu)外延材料界面處的晶格完整性、晶向的偏離、樣品組分等，它能夠給出單晶材料中由位錯、雜質(zhì)、化學(xué)配比、殘留應(yīng)力等造成的晶格畸變程度的信息。
目前主要的檢測手段也即XRD，可以對整個晶片的晶格完整性情況進(jìn)行掃描，從而可以了解晶體中缺陷的分布情況，掌握缺陷的產(chǎn)生規(guī)律，有助于改進(jìn)和提高材料的質(zhì)量。
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