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使用直流四探針法測量和分析硅晶片、擴散層、 金屬層的電阻率和薄膜電阻。 適用晶片尺寸:2"~8"; 數(shù)字電壓表量程:0—199.9mV 靈敏度:100μV 輸入阻抗:1000ΜΩ 基本誤差±(0.4-0.5%讀數(shù)+0.1%滿度) 電阻率范圍:10—3 —1×103Ω·cm。 方塊電阻范圍:10—2 —1×104Ω/□。
使用直流四探針法測量和分析硅晶片、擴散層、 金屬層的電阻率和薄膜電阻。
適用晶片尺寸:2"~8"; 數(shù)字電壓表量程:0—199.9mV 靈敏度:100μV 輸入阻抗:1000ΜΩ 基本誤差±(0.4-0.5%讀數(shù)+0.1%滿度)