熱門檢測
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技術(shù)指標(biāo)：
主要探測指標(biāo)：裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）
檢測時(shí)間：平均每個(gè)硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒
硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
分辨率：1280 px*1024px
2560 px*2048px
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